幾家的管式爐，最高溫度只能達到900到1000度……1100度？
還有氮化硼塗層……那是說塗就塗的麼？
問題是，聽臺上那貨的語氣，好像應該是隨手可得的，要提出來沒有……也太卡面啦。
年長者為了面子不吱聲，提問的年輕人同樣為了面子不吱聲，坐那默默的吞苦水……
同時在心裡吶喊：英雄，饒命呀~
空氣短暫的安靜後，一位工研院的年輕研究員率先醒過神，高舉起右臂。
待曲卓抬手示意後，起：“省g 線刻膠依賴進口。我們試著在實驗室自行合時，敏劑和樹脂總不相容。請問，有解決辦法嗎？”
“鄰醌二疊氮百分之八上下與酚醛樹脂1比9混合，平衡敏和厚穩定。使用乙二醇單甲醚醋酸酯或甲基異丁基酮做主溶劑，控制膠粘度在50到80釐泊，目標支援解析度1.5微米。我等你出果。”
曲卓話音落下時，已經有人翻開面前的筆記本開始記錄了……
翻開筆記本，甭管有用沒有都要做記錄……這是事先有要求的。
但某人節奏太快，以至於大家給忘了。
這會兒想起來記，是真的需要記……
“講。”曲卓示意舉手的……瞅著還算年輕，但應該是已婚的人。
“我的問題是，1微米工藝的VLSI做鋁佈線，高溫狀態鋁、矽互互相擴散，導致PN接面電，實驗室層面有沒有……比較簡單的方法可以阻擋？”
“蒸鍍五十奈米的鈦層，600度形高阻C49相，800度轉化為低阻 C54 相形TiSi?阻擋層，可以阻止鋁擴散。佈線改用含百分之一矽的鋁合金，電阻率能降到每釐米2.8-3.0微歐。
如果你努力一些，攻破電子束蒸發和快速熱退火，可以做到2.5微歐。不過，別想著申請專利。因為，我已經註冊過了。”
“……”
好多人在下意識吞口水。還有人想問：“英雄，你是不是太高看我們啦？”
依舊是那句話：決不能墜了自家的面子……憋！
“老師…我們課題組搭的16K DRASiO?介質層電，重新整理週期不足1.5毫秒，該怎樣最佳化介質層？”
“用等離子增強化學氣相沉積做 SiO?，呃……你們可以用低化學氣相沉積或熱氧化工藝，厚度十二奈米，擊穿場強能提到每釐米一千萬伏特，重新整理週期應該能夠延長到2毫秒……回頭我送你們一套PECVD。”
這話一齣口，臺下不人險些熱淚盈眶。
不是……或者說不止是因為能白得一套必然先進到本沒有商業化生產的實驗室裝置。
更想高聲吶喊：“英雄，你終於意識到了麼？在你認知裡就擺在手邊的東西，我們這裡本就沒有條件呀！”
與其他人不同，後排坐著的施敏在。
他為什麼過得那麼憋屈，還悶不吭聲的留在貝爾實驗室。
一方面是圖貝爾的“牌子”，說出去有面子，能襯托他的檔次，代表他的實力。
一方面是圖實驗室先進的儀和裝置。
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