楚千瀾指尖在桌面輕叩，眼中閃過一亮。
這種刻技，科技圖書館裡也是有的，但想要實現，其中涉及到的技比正常刻機還要多一些。
對於深藍半導來說，研發刻機亦或者放大刻空間，這兩種方案各有利弊。
刻機已經是的技方案，深藍半導只要想辦法規避其中的專利，就可以造出符合使用要求的刻機。
放大刻空間雖然能夠規避大量的核心專利，但這屬於全新的研發，所有難題都要深藍半導的技團隊自己解決。
然而，想到媧系統的存在，楚千瀾心中也有了決定。
“放大空間規避非核心專利？這個思路倒是新穎。但刻機的核心訴求是度與穩定，放大積後，學系統的校準、工作臺的振控制肯定會出現一系列新問題？”
張北上前一步，開啟平板，上面呈現出一個三維模型圖：“楚總放心，我們做過模擬測試。將機橫向放大200%，非核心部件的加工度要求可從±0.005微米放寬至±0.01微米，可以避開87項國外非核心專利；
學系統方面，我們採用‘分段校準’方案，過額外增加的雷定位模組，補償積放大帶來的路偏差，度能穩定在原有水準；
工作臺振問題，恆川機械已定製出加強型阻尼基座，能將高速運轉時的震幅度控制在0.002微米以，完全滿足45奈米刻要求。”
王世傑在一旁補充道：“更關鍵的是本優勢！放寬度要求後，國廠商能生產的零部件比例從35%提升至92%，單臺刻機的製造本可降低40%。
而且核心部件的專利繞開方案也有了進展，張北團隊已找到12項替代技路徑，正在進行原型測試。”
楚千瀾俯盯著模型圖上的標註，指尖劃過放大後的機結構：“這個方案可行，但要把握兩個關鍵。
第一，核心部件的專利繞開必須徹底，不能給國外廠商留下訴訟；第二，積放大不能影響量產效率，深藍半導未來的產能需求只會越來越大。”
張北立刻應聲：“楚總放心，核心專利繞開我們採用‘反向設計+功能等效’雙路徑驗證。
比如刻膠塗布模組，我們放棄國外主流的‘旋轉噴塗’專利，改用‘狹塗布’技，實測塗布均勻度誤差僅0.003微米，完全達到要求；
量產效率方面，我們優化了晶圓傳送臂的運軌跡，雖然機放大，但單批次晶圓理時間僅增加0.8秒。
過增加並行理單元，整條產線的年產能可以穩定在33萬片以上，足以支撐繁星科技和下游合作廠商的需求。
當然，這些資料都是過媧系統測算，與現實肯定有所差距！”
王世傑補充道：“我們還做過測算，放大版65奈米刻機的研發週期預計12個月，只比復刻原版增加了3個月；
量產本降低40%，這意味著後續擴產時，我們能以更低的投快速搭建新產線，應對晶片需求的發式增長。”
楚千瀾指尖輕叩桌面，眸漸沉：“12個月的研發週期，時間可以接。這套裝置，你們研發的是65奈米的，還是45奈米的？”
聽到詢問，張北眼中閃過一興，“楚總，我們準備直接研發45納米制程的刻裝置！
雖然沒有拆解過45奈米刻機，但我們在國外工作時，見過那些裝置，對結構很悉。
再加上拆解65奈米刻機的經驗，研發一套擴充套件空間後的刻裝置，我們團隊還是很有信心的。
只是，其中的源裝置還需要採購，這裡面的專利技太多，我們短時間無法突破限制！”
楚千瀾略作沉，語氣堅定的開口，“你們先研發刻機主，至於源部分，我再想想辦法。
前段時間，我看到一篇關於“雷導放電等離子”的文章，覺可以將其用來製作刻機的源，我最近會使用媧系統推演一番，若是可以，你們按照我給的技大綱研發就行了！”
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